碳化硅 (SiC) 功率半导体热特性表征

碳化硅 (SiC) 功率半导体可为电力电子元件模块提供多项优势，其中包括缩减包装尺寸、提升效率和降低开关损耗，以及提高热性能（减少冷却系统需求）。对于电动汽车和混合汽车的电力电子元件，以及航空和航天、能源等其他电动化趋势而言，这些优势非常有吸引力。

本网络研讨会重点关注如何将 Simcenter T3STER 瞬态热测量测试技术应用于 SiC 设备的热特性表征，从而精确确定热指标，改善热仿真的准确度、可靠性测试和质量评估。

我们将介绍热测量配置并解读测试产生的热结构函数，该函数会以数据包表示从连接点到周围环境的热流路径。我们还会讨论对 SiC MOSFET 的直接热测量，以及针对更有挑战性的 SiC 设备类型建议使用的虚拟传感器方法，此种方法融合了测量和热仿真技术。此外，我们还会回顾设备的功率循环测试方法，这种方法可帮助确定因热诱导服务降级而导致的故障，适合在进行可靠性和生命周期预测研究时使用。

主题：

• 热特性表征技术：热流路径分析和结构函数
• 碳化硅设备热测试研究示例
• 融合功率循环和非破坏性故障诊断的热可靠性测试 (Simcenter POWERTESTER)