Перейти к содержанию

Thermal characterization hardware

T3STER

Simcenter T3STER («Тристер») — это инновационный инструмент для провердения нестационарного теплового анализа, позволяющий получить тепловые характеристики полупроводниковых устройств (диодов, биполярных транзисторов, силовых МОП-транзисторов, IGBT, светодиодных модулей), а также многокристальных устройств. Тестирование компонентов можно выполнять без демонтажа. Наше решение состоит из программной и аппаратной части и предназначено для сферы полупроводников, транспортных систем, бытовой электроники и светодиодов.

Точное измерение переходной тепловой характеристики является намного более эффективным, чем измерение в установившемся режиме. Измерения производятся с точностью ±0,01° C и разрешением до 1 микросекунды и позволяют получить точные результаты. В ходе структурного анализа выполняется постпроцессинг характеристики, и результаты выводятся на график, отображающий тепловое сопротивление и теплоемкость компонентов по траектории теплового потока. Можно легко выявить любые структурные недостатки, например ненадежное крепление кристалла, и с легкостью обнаружить дострессовые и послестрессовые разрушения в ходе анализа надежности. Результаты измерений можно экспортировать для выполнения калибровки тепловой модели, что повышает точность теплового проектирования.

Дополнительная информация:

6 основных преимуществ тестирования нестационарных тепловых режимов полупроводников

Публикация: Знакомство с функциями структурного анализа для получения тепловых характеристик электронных устройств

Что такое функция структурного анализа? - T3STER для определения характеристики полупроводников

Simcenter T3STER

Simcenter T3STER («Тристер») — это инновационный инструмент для провердения нестационарного теплового анализа, позволяющий получить тепловые характеристики полупроводниковых устройств (диодов, биполярных транзисторов, силовых МОП-транзисторов, IGBT, светодиодных модулей), а также многокристальных устройств. Тестирование компонентов можно выполнять без демонтажа. Наше решение состоит из программной и аппаратной части и предназначено для сферы полупроводников, транспортных систем, бытовой электроники и светодиодов.

Точное измерение переходной тепловой характеристики является намного более эффективным, чем измерение в установившемся режиме. Измерения производятся с точностью ±0,01° C и разрешением до 1 микросекунды и позволяют получить точные результаты. В ходе структурного анализа выполняется постпроцессинг характеристики, и результаты выводятся на график, отображающий тепловое сопротивление и теплоемкость компонентов по траектории теплового потока. Можно легко выявить любые структурные недостатки, например ненадежное крепление кристалла, и с легкостью обнаружить дострессовые и послестрессовые разрушения в ходе анализа надежности. Результаты измерений можно экспортировать для выполнения калибровки тепловой модели, что повышает точность теплового проектирования.

Дополнительная информация:

6 основных преимуществ тестирования нестационарных тепловых режимов полупроводников

Публикация: Знакомство с функциями структурного анализа для получения тепловых характеристик электронных устройств

Что такое функция структурного анализа? - T3STER для определения характеристики полупроводников

Истории успеха заказчиков

Yaskawa Electric

Yaskawa delivers customer satisfaction using Siemens’  advanced thermal testing solution

Yaskawa delivers customer satisfaction using Siemens’ advanced thermal testing solution

Simcenter T3STER allows global electric company to directly measure chip temperatures and increase product thermal quality

Подробнее