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Simcenter T3STER

Thermal characterization hardware

T3STER

SimCenter T3STER (pronuncia-se "Tris-ter") é um dispositivo de teste avançado não destrutivo transiente térmico para caracterização térmica de dispositivos semicondutores agrupados (diodos, BJTs, MOSFETs de potência, IGBTs, LEDs de potência) e dispositivos de diversos componentes, capaz de testar componentes no local. Um sistema proprietário que consiste em software e hardware, nossa solução dá suporte aos mercados de semicondutores, transporte, eletrônicos de consumo e LED.

Medir a real resposta transiente térmica é muito mais eficiente que os métodos estacionários. As medições são de ±0,01 °C com resolução de até 1 microssegundo, produzindo métricas térmicas precisas. As funções de estrutura pós-processam a resposta em um gráfico que mostra a resistência térmica e a capacitância dos recursos do conjunto ao longo do caminho do fluxo de calor. Falhas na estrutura, como erros na fixação de circuito, são facilmente entendidas, tornando-a uma ferramenta ideal de detecção de falhas pré e pós-estresse na análise de confiabilidade. As medições podem ser exportadas para calibração do modelo térmico, sustentando a precisão do esforço de projeto térmico.

Leia mais:

6 principais benefícios do teste térmico transiente de semicondutores

Documento técnico: Introdução às funções de estrutura para caracterização térmica eletrônica

O que é uma função de estrutura? - Caracterização de semicondutor T3STER

Simcenter T3STER

SimCenter T3STER (pronuncia-se "Tris-ter") é um dispositivo de teste avançado não destrutivo transiente térmico para caracterização térmica de dispositivos semicondutores agrupados (diodos, BJTs, MOSFETs de potência, IGBTs, LEDs de potência) e dispositivos de diversos componentes, capaz de testar componentes no local. Um sistema proprietário que consiste em software e hardware, nossa solução dá suporte aos mercados de semicondutores, transporte, eletrônicos de consumo e LED.

Medir a real resposta transiente térmica é muito mais eficiente que os métodos estacionários. As medições são de ±0,01 °C com resolução de até 1 microssegundo, produzindo métricas térmicas precisas. As funções de estrutura pós-processam a resposta em um gráfico que mostra a resistência térmica e a capacitância dos recursos do conjunto ao longo do caminho do fluxo de calor. Falhas na estrutura, como erros na fixação de circuito, são facilmente entendidas, tornando-a uma ferramenta ideal de detecção de falhas pré e pós-estresse na análise de confiabilidade. As medições podem ser exportadas para calibração do modelo térmico, sustentando a precisão do esforço de projeto térmico.

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