Charakterystyka cieplna półprzewodników z węglika krzemu (SiC)

Półprzewodniki z węglika krzemu (SiC) zapewniają wiele korzyści w przypadku modułów energoelektronicznych, np. mniejszy rozmiar, wyższą wydajność przy mniejszych stratach podczas przełączania oraz lepszą wydajność cieplną (niższe wymagania dotyczące układu chłodzenia). Takie cechy są pożądane w elektronice dla pojazdów elektrycznych i hybrydowych, a także innych zastosowań, np. w branży lotniczej, energetycznej itd.

Niniejszy webinar skupia się na zastosowaniu technologii testów temperatury przejściowej Simcenter T3STER, która umożliwia określenie charakterystyki cieplnej półprzewodników SiC w celu szczegółowego zdefiniowania parametrów termicznych i ulepszenia dokładności symulacji, niezawodności testów oraz oceny jakości.

Prezentacja stanowi wprowadzenie do konfiguracji pomiarów termicznych oraz interpretacji wygenerowanych podczas testów funkcji, które odzwierciedlają ścieżkę przepływu ciepła między złączem a otoczeniem. Poruszony zostanie temat bezpośrednich pomiarów termicznych tranzystorów MOSFET z węglika krzemu, a także proponowane podejście wykorzystujące wirtualne czujniki dla bardziej skomplikowanych urządzeń z SiC, które łączy pomiary i techniki symulacji cieplnej. Ponadto przeprowadzona będzie ocena metod testów zasilania urządzeń, która ma na celu wykrycie awarii wynikających z powodowanej przez temperaturę degradacji działania w badaniach przewidujących niezawodność i żywotność sprzętu.

Tematy:

• Technologia charakterystyki termicznej: analiza ścieżki przepływu ciepła i funkcje struktury
• Przykłady badań dotyczących testów termicznych urządzeń z węglika krzemu
• Testy niezawodności termicznej z wykorzystaniem metod włączania i wyłączania zasilania oraz nieniszczącej diagnostyki awarii (Simcenter POWERTESTER)