Przejdź do treści

Thermal characterization hardware

T3STER

Simcenter T3STER (wymawia się „Tris-ter”) jest zaawansowanym, nieniszczącym testerem termicznym do wyznaczania przejściowej charakterystyki cieplnej urządzeń półprzewodnikowych (diod, tranzystorów bipolarnych, tranzystorów MOSFET mocy, IGBT-ów, diod LED wysokiej mocy) oraz urządzeń wielokostkowych, który pozwala na testowanie komponentów na miejscu. Nasz system, składający się z oprogramowania i sprzętu, można stosować w branży półprzewodników, transportu, elektroniki użytkowej i diod LED.

Pomiar rzeczywistej reakcji termicznej w stanie nieustalonym jest znacznie bardziej efektywny niż metody stanu ustalonego. Pomiary wykonywane są z dokładnością do ±0,01°C i rozdzielczością czasową do 1 mikrosekundy, zapewniając dokładność parametrów termicznych. Funkcje struktury przetwarzają odpowiedź na wykres przedstawiający opór cieplny i pojemność elektryczną przewodników wzdłuż ścieżki przepływu ciepła. Uszkodzenia struktury, np. błędy w montażu kości, są łatwo wykrywalne, co sprawia, że jest to idealne narzędzie do wykrywania uszkodzeń zarówno przed, jak i po wystąpieniu naprężenia podczas analizy niezawodności. Wyniki pomiarów można eksportować w celu kalibracji modelu termicznego, co zwiększa dokładność projektu.

Więcej informacji:

Sześć kluczowych korzyści płynących z badań przejściowej charakterystyki cieplnej półprzewodników

Artykuł techniczny: Wprowadzenie do funkcji struktury w wyznaczaniu charakterystyki cieplnej elektroniki

Czym jest funkcja struktury? - Wyznaczanie charakterystyki półprzewodników przy pomocy T3STER

Simcenter T3STER

Simcenter T3STER (wymawia się „Tris-ter”) jest zaawansowanym, nieniszczącym testerem termicznym do wyznaczania przejściowej charakterystyki cieplnej urządzeń półprzewodnikowych (diod, tranzystorów bipolarnych, tranzystorów MOSFET mocy, IGBT-ów, diod LED wysokiej mocy) oraz urządzeń wielokostkowych, który pozwala na testowanie komponentów na miejscu. Nasz system, składający się z oprogramowania i sprzętu, można stosować w branży półprzewodników, transportu, elektroniki użytkowej i diod LED.

Pomiar rzeczywistej reakcji termicznej w stanie nieustalonym jest znacznie bardziej efektywny niż metody stanu ustalonego. Pomiary wykonywane są z dokładnością do ±0,01°C i rozdzielczością czasową do 1 mikrosekundy, zapewniając dokładność parametrów termicznych. Funkcje struktury przetwarzają odpowiedź na wykres przedstawiający opór cieplny i pojemność elektryczną przewodników wzdłuż ścieżki przepływu ciepła. Uszkodzenia struktury, np. błędy w montażu kości, są łatwo wykrywalne, co sprawia, że jest to idealne narzędzie do wykrywania uszkodzeń zarówno przed, jak i po wystąpieniu naprężenia podczas analizy niezawodności. Wyniki pomiarów można eksportować w celu kalibracji modelu termicznego, co zwiększa dokładność projektu.

Więcej informacji:

Sześć kluczowych korzyści płynących z badań przejściowej charakterystyki cieplnej półprzewodników

Artykuł techniczny: Wprowadzenie do funkcji struktury w wyznaczaniu charakterystyki cieplnej elektroniki

Czym jest funkcja struktury? - Wyznaczanie charakterystyki półprzewodników przy pomocy T3STER

Wyróżniona historia sukcesu klienta

Yaskawa Electric

Yaskawa delivers customer satisfaction using Siemens’  advanced thermal testing solution

Yaskawa delivers customer satisfaction using Siemens’ advanced thermal testing solution

Simcenter T3STER allows global electric company to directly measure chip temperatures and increase product thermal quality

Czytaj dalej