Simcenter Micred T3STER jest zaawansowanym, nieniszczącym testerem termicznym do wyznaczania przejściowej charakterystyki cieplnej pakietów części półprzewodnikowych (diod, BJT, MOSFET-ów mocy, IGBT-ów, diod LED mocy) oraz urządzeń wielomatrycowych. Mierzy rzeczywistą termiczną reakcję przejściową skuteczniej niż metody oparte na stanie ustalonym. Pomiary wykonywane są z dokładnością do ±0,01°C i rozdzielczością czasową do 1 mikrosekundy. Funkcje struktury przetwarzają odpowiedź na wykres przedstawiający opór cieplny i pojemność elektryczną przewodników wzdłuż ścieżki przepływu ciepła. Simcenter Micred T3STER to idealne narzędzie do wykrywania usterki przed i po naprężeniu. Wyniki pomiarów można eksportować w celu kalibracji modelu termicznego, co zwiększa dokładność projektu.
Szybsze wyniki za pomocą jednego testu
Simcenter Micred T3STER jest szybki i łatwy w obsłudze. Daje w pełni powtarzalne wyniki, więc każdy test wystarczy przeprowadzić tylko raz. Simcenter Micred T3STER testuje pakiety układów scalonych, wykorzystując tylko połączenia elektryczne do zasilania i wykrywania, zapewniając szybkie, powtarzalne wyniki i eliminując konieczność wielokrotnego testowania tej samej części. Komponenty mogą być testowane na miejscu, a wyniki testów wykorzystane jako kompaktowy model termiczny lub do kalibracji szczegółowego modelu.
Testowanie wszystkich typów pakietów półprzewodników
Można testować praktycznie wszystkie typy pakietów półprzewodników, od diod mocy i tranzystorów po duże i bardzo złożone cyfrowe układy scalone, w tym części montowane na płytce, a nawet umieszczone w produkcie.
Mówiąc najprościej, impuls mocy jest przekazywany do komponentu, a jego reakcja temperaturowa jest rejestrowana bardzo dokładnie w czasie. Sam półprzewodnik służy zarówno do zasilania części, jak i do wykrywania reakcji temperaturowej za pomocą parametru wrażliwego na temperaturę na powierzchni matrycy, takiego jak tranzystor lub struktura diody.
Dostęp do niezawodnego oprogramowania
Oprogramowanie dostarczone z urządzeniem Simcenter Micred T3STER zapewnia wiele korzyści rozwiązania. Dzieje się tak dlatego, że oprogramowanie Simcenter Micred T3STER może pobrać ślad temperatury w czasie i przekształcić go w tak zwaną funkcję struktury. Dyskretne cechy pakietu, takie jak mocowanie matrycy, można wykryć na tym wykresie, dzięki czemu Simcenter Micred T3STER jest doskonałym narzędziem diagnostycznym do rozwoju produktu. Wykres można również wykorzystać do kalibracji szczegółowego modelu termicznego 3D w oprogramowaniu Simcenter Flotherm, tworząc model termiczny pakietu układów, który przewiduje temperaturę zarówno w przestrzeni, jak i czasie z dokładnością ponad 99%.
Osiągnij większą dokładność symulacji chłodzenia układów elektronicznych, wykorzystując pomiary i kalibrację
Niniejszy artykuł omawia czynniki umożliwiające osiągnięcie większej dokładności w modelowaniu rozproszenia ciepła na ścieżkach oraz połączeniach podczas symulacji. Ilustruje on pomiary termiczne modułu IGBT z wykorzystaniem Simcenter T3STER oraz kalibrację modelu w połączeniu z symulacją termiczną w Simcenter Flotherm.
