Simcenter T3STER (wymawia się „Tris-ter”) jest zaawansowanym, nieniszczącym testerem termicznym do wyznaczania przejściowej charakterystyki cieplnej urządzeń półprzewodnikowych (diod, tranzystorów bipolarnych, tranzystorów MOSFET mocy, IGBT-ów, diod LED wysokiej mocy) oraz urządzeń wielokostkowych, który pozwala na testowanie komponentów na miejscu. Nasz system, składający się z oprogramowania i sprzętu, można stosować w branży półprzewodników, transportu, elektroniki użytkowej i diod LED.
Pomiar rzeczywistej reakcji termicznej w stanie nieustalonym jest znacznie bardziej efektywny niż metody stanu ustalonego. Pomiary wykonywane są z dokładnością do ±0,01°C i rozdzielczością czasową do 1 mikrosekundy, zapewniając dokładność parametrów termicznych. Funkcje struktury przetwarzają odpowiedź na wykres przedstawiający opór cieplny i pojemność elektryczną przewodników wzdłuż ścieżki przepływu ciepła. Uszkodzenia struktury, np. błędy w montażu kości, są łatwo wykrywalne, co sprawia, że jest to idealne narzędzie do wykrywania uszkodzeń zarówno przed, jak i po wystąpieniu naprężenia podczas analizy niezawodności. Wyniki pomiarów można eksportować w celu kalibracji modelu termicznego, co zwiększa dokładność projektu.
Więcej informacji:
Sześć kluczowych korzyści płynących z badań przejściowej charakterystyki cieplnej półprzewodników
Czym jest funkcja struktury? - Wyznaczanie charakterystyki półprzewodników przy pomocy T3STER
