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실리콘 카바이드 (SiC) 전력 반도체 열 특성화

온디맨드 웨비나

열 과도 테스트를 사용한 전력 전자 장치에서의 SiC 소자 열 성능 및 안정성 평가

SiC (실리콘 카바이드) 전력 반도체는 패키지 크기가 작고 스위칭 손실이 적어 효율이 높으며 열 성능이 향상되어 냉각 시스템 필요성이 덜한 전력 전자 모듈에 이점을 제공합니다. 이러한 이점은 전기 및 하이브리드 차량의 전력 전자 제품 뿐만 아니라 항공우주, 에너지 등의 산업에 사용되는 전기화에도 유용합니다.

본 웨비나는 SiC 소자의 열 특성화를 위한 Simcneter T3STER 열 과도 측정 테스트 기술을 사용해 열 시뮬레이션 정확성, 안정성 테스트 및 품질 평가를 향상시켜 열 메트릭을 정확하게 결정합니다.

패키지 접합부에서 주변부로의 열 흐름을 나타내는 열 구조 기능으로 생성한 열 측정 구성과 해석 테스트를 소개합니다. SiC MOSFET의 직접 열 측정 및 측정과 열 시뮬레이션 기술을 통합한 보다 까다로운 SiC 소자에 사용할 수 있는 가상 센서 방식 사용법도 살펴봅니다. 또한 신뢰성 및 수명 예측 연구용으로 가동 중 열적 유도된 열화로 인한 고장을 파악하기 위한 소자의 파워 사이클링 테스트 방법도 소개합니다.

주제:

  • 열의열 특성화 기술: 열 흐름 경로 해석 및 구조 기능
  • 실리콘 카바이드 소자 열 테스트 사례 예시
  • 통합 파워 사이클링 및 비파괴 고장 진단을 사용한 열 안정성 테스트 (Simcenter POWRTESTER)