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シリコンカーバイド (SiC) パワー半導体の熱特性評価

オンデマンド・ウェビナー

過渡熱測定を使用して、パワーエレクトロニクス向けSiCデバイスの熱性能と信頼性を評価する

シリコンカーバイド (SiC) パワー半導体には、パッケージが小型である、スイッチン損失が少なく効率的、熱性能が優れている (冷却システムの要件が少ない) など、パワーエレクトロニクスモジュールに適した特長があります。このため、電気自動車やハイブリッド車のパワーエレクトロニクスのほか、航空宇宙業界やエネルギー業界など、電動化を進めているその他の分野からも引き合いがきています。

このウェビナーでは、Simcenter T3STERの過渡熱測定試験技術をSiCデバイスの熱特性評価に適用し、熱に関する指標を正確に算出することによって、熱解析の精度を向上させ、信頼性試験および品質評価を行う様子をご紹介します。

熱測定の設定方法や、パッケージのジャンクションから周囲までの熱流路を表す熱構造関数を試験から算出し、それを解釈する方法も説明します。また、SiC MOSFETの熱を直接測定する方法に加えて、弊社が推奨する仮想センサーによる方法も紹介します。これは、測定と熱解析技術を組み合わせたもので、より高度なSiCデバイスに適しています。さらに、デバイスのパワーサイクル試験を使って、使用中に熱による劣化が原因の故障を特定し、信頼性と寿命予測を調べる方法もお話しします。

トピック:

  • 熱特性評価技術 : 熱流路解析と構造関数
  • シリコンカーバイドデバイスの熱試験調査の例
  • パワーサイクルと非破壊的な故障診断を組み合わせた熱信頼性試験 (Simcenter POWERTESTER)
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