測定とキャリブレーションで、エレクトロニクスの冷却シミュレーションの精度を改善
エレクトロニクスシステムの通常の3D冷却シミュレーションでは、「すべての電力は半導体部品で消費される」と想定します。大電流の電力パッケージやモジュールを持つ製品の場合は、配電ネットワークにおける電力損失が大きな要素となっています。銅配線と接続における電力損失は、全入力電力の30%程度となる可能性があります。このため複雑で電力密度の高いエレクトロニクスの予測精度を最大化するには、シミュレーションでこの加熱効果を考慮することが不可欠です。
このホワイトペーパーでは、シミュレーションにおける配線／接続熱放散モデリングの精度を高めるために必要な要素を説明します。Simcenter T3STERによるIGBTモジュールの熱測定とモデルキャリブレーション、これと合わせて行うSimcenter Flothermの熱シミュレーションを紹介します。
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エレクトロニクスシステムの通常の3D冷却シミュレーションでは、「すべての電力は半導体部品で消費される」と想定します。大電流の電力パッケージやモジュールを持つ製品の場合は、配電ネットワークにおける電力損失が大きな要素となっています。銅配線と接続における電力損失は、全入力電力の30%程度となる可能性があります。このため複雑で電力密度の高いエレクトロニクスの予測精度を最大化するには、シミュレーションでこの加熱効果を考慮することが不可欠です。
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