Simcenter T3STER (読み方は「トリスター」) は、半導体パッケージ・デバイス (ダイオード、BJT、パワーMOSFET、IGBT、パワーLED) やマルチダイ・デバイスのコンポーネントをその場で試験し、熱特性を評価できる非破壊的な最先端過渡熱試験装置です。ソフトウェアとハードウェアで構成される独自のシステムを使ったソリューションで、半導体、運輸、家電、LEDといった市場をサポートします。
過渡熱応答を測定する手法は、定常状態での測定に比べて遥かに効率的です。熱パラメーターは、温度分解能±0.01°C、時間分解能1μsで精密に測定されます。また、構造関数を使って応答値をプロットするポスト処理により、パッケージの熱抵抗と熱容量を熱流路に沿って示すことができます。不良ダイアタッチなどの構造欠陥を容易に理解し、ストレスがかかる前と後の両方の問題を検知できる理想的な信頼性解析ツールです。測定結果をエクスポートして熱モデルを校正できるため、精度はさらに改善します。
詳細情報:
Simcenter T3STER (読み方は「トリスター」) は、半導体パッケージ・デバイス (ダイオード、BJT、パワーMOSFET、IGBT、パワーLED) やマルチダイ・デバイスのコンポーネントをその場で試験し、熱特性を評価できる非破壊的な最先端過渡熱試験装置です。ソフトウェアとハードウェアで構成される独自のシステムを使ったソリューションで、半導体、運輸、家電、LEDといった市場をサポートします。
過渡熱応答を測定する手法は、定常状態での測定に比べて遥かに効率的です。熱パラメーターは、温度分解能±0.01°C、時間分解能1μsで精密に測定されます。また、構造関数を使って応答値をプロットするポスト処理により、パッケージの熱抵抗と熱容量を熱流路に沿って示すことができます。不良ダイアタッチなどの構造欠陥を容易に理解し、ストレスがかかる前と後の両方の問題を検知できる理想的な信頼性解析ツールです。測定結果をエクスポートして熱モデルを校正できるため、精度はさらに改善します。
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