Caratterizzazione termica dei semiconduttori al carburo di silicio (SiC)

I semiconduttori al carburo di silicio (SiC) offrono diversi vantaggi nei moduli di potenza, inclusi pacchetti con dimensioni ridotte, maggiore efficienza con perdite di commutazione inferiori e prestazioni termiche superiori, che riducono la necessità di raffreddamento dei sistemi. Si tratta di vantaggi molto utili nell’elettronica di potenza dei veicoli ibridi ed elettrici, così come per altri settori quali l’aerospaziale, il settore dell’energia ecc.

Il webinar si focalizza sull'applicazione della tecnologia di test di Simcenter T3STER per la misurazione del transitorio termico, ai fini della caratterizzazione termica dei dispositivi SiC, per determinare con precisione le metriche termiche, nonché migliorare la precisione della simulazione termica, dei test di affidabilità e della valutazione della qualità.

Verrà fornita un'introduzione alle configurazioni di misurazione termica e all'interpretazione delle funzioni di struttura termica generate dai test, che rappresentano il percorso del flusso di calore dalle giunzioni dei pacchetti verso l’ambiente. Verrà illustrata la misurazione termica diretta di un MOSFET SiC, nonché un metodo basato su un sensore virtuale per tipi di dispositivi SiC più complessi, che combina tecniche di misurazione e simulazione termica. Inoltre, verrà fornita una panoramica sui metodi per i test di power cycling dei dispositivi, allo scopo di identificare i guasti dovuti alla degradazione indotta dal calore per gli studi di affidabilità e previsione del ciclo di vita.

Si parlerà di:

• Tecnologia di caratterizzazione termica: analisi del percorso del flusso di calore e funzioni di struttura
• Esempi di studi basati sui test termici dei dispositivi al carburo di silicio
• Test di affidabilità termica basata su una combinazione di power cycling e diagnosi dei guasti non distruttiva (Simcenter POWERTESTER)