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Simcenter Micred T3STER

Effectuez la caractérisation thermique de dispositifs semi-conducteurs emballés avec une technologie de test thermique transitoire hautement précise et reproductible et une analyse de la fonction de structure.

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Représentation de Simcenter T3STER, testeur thermique transitoire.

Pourquoi Simcenter Micred T3STER ?

Simcenter Micred T3STER est un testeur thermique transitoire non destructif avancé pour la caractérisation thermique des dispositifs semi-conducteurs en boîtier (diodes, BJTs, MOSFETs de puissance, IGBTs, LEDs de puissance) et des dispositifs multi-pièces. Il mesure la réponse transitoire thermique réelle plus efficacement que les méthodes à l’état d’équilibre. Les mesures sont effectuées à ±0,01 °C avec une résolution temporelle maximale de 1 microseconde. Les fonctions de structure effectuent le post-traitement de la réponse sous la forme d’un diagramme montrant la résistance et la capacitance thermiques du composant le long du trajet du flux de chaleur. Simcenter Micred T3STER est un outil idéal de détection des défaillances avant et après le stress. Les mesures peuvent être exportées pour l’étalonnage du modèle thermique, ce qui améliorer la précision de la conception thermique.

Obtenez des résultats plus rapides avec un seul test
Simcenter Micred T3STER est facile à utiliser et rapide. Il produit des résultats entièrement reproductibles, de sorte que chaque test ne doit être effectué qu’une seule fois. Simcenter Micred T3STER teste les circuits intégrés emballés en utilisant uniquement des connexions électriques pour l’alimentation et la détection, ce qui donne des résultats rapides et reproductibles et élimine le besoin de plusieurs tests sur la même pièce. Les composants peuvent être testés in situ et les résultats des tests peuvent être utilisés comme modèle thermique compact ou pour calibrer un modèle détaillé.

Tester tous les types de semi-conducteurs emballés
Pratiquement tous les types de semi-conducteurs emballés peuvent être testés, des diodes de puissance et des transistors aux circuits intégrés numériques volumineux et très complexes, y compris les pièces montées sur une carte et même emballées dans un produit.

En termes simples, une impulsion de puissance est injectée dans le composant et sa réponse en température est enregistrée très précisément dans le temps. Le semi-conducteur lui-même est utilisé à la fois pour alimenter la pièce et pour détecter la réponse en température à l’aide d’un paramètre sensible à la température sur la surface de la puce, tel qu’une structure de transistor ou de diode.

Accédez à des logiciels fiables
Le logiciel fourni avec Simcenter Micred T3STER fournit une grande partie de la valeur ajoutée de la solution. C’est parce que le logiciel Simcenter Micred T3STER peut prendre la trace de température en fonction du temps et la convertir en ce que l’on appelle une fonction de structure. Les caractéristiques discrètes de l’emballage, telles que la fixation de la matrice, peuvent être détectées dans ce graphique, faisant de Simcenter Micred T3STER un excellent outil de diagnostic dans le développement de produits. Le tracé peut également être utilisé pour calibrer un modèle thermique 3D détaillé dans Simcenter Flotherm, créant un modèle thermique d’un boîtier de puces qui prédit la température dans l’espace et le temps avec une précision de plus de 99 %.

Améliorer la précision de la simulation des systèmes électroniques de refroidissement par des mesures et des calibrages

Ce livre blanc prend en compte les facteurs permettant d’améliorer la précision de la modélisation de la dissipation de la chaleur des traces et des connexions dans la simulation. Il illustre la mesure thermique d’un module IGBT à l’aide de Simcenter T3STER et l’étalonnage du modèle en conjonction avec la simulation thermique dans Simcenter Flotherm.

Capacités de Simcenter T3STER

Essais thermiques

Avec cette gamme de solutions matérielles de caractérisation thermique, les fournisseurs de composants et de systèmes peuvent, de façon précise et efficace, tester, mesurer et caractériser sur le plan thermique les propriétés des boîtiers de circuits intégrés semi-conducteurs, LED simples et en réseau, boîtiers empilés et à puces multiples, les modules électroniques de puissance, matériaux d’interface thermique (TIM) et systèmes électroniques complets.

Nos solutions matérielles mesurent directement les courbes réelles de chauffage ou de refroidissement des dispositifs semi-conducteurs emballés en continu et en en temps réel, plutôt que de les composer artificiellement à partir des résultats de plusieurs tests individuels. Il est beaucoup plus efficace et précis de mesurer la réponse thermique transitoire réelle de cette manière et cela conduit à des mesures thermiques plus précises que les méthodes à l’état stable. Les mesures ne doivent être effectuées qu’une seule fois par échantillon, plutôt que de répéter et de prendre une moyenne comme avec les méthodes en régime permanent.

En savoir plus sur les essais thermiques

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Visuel du matériel Simcenter Micred Powertester.
Livre blanc

Caractérisation thermique des systèmes électroniques complexes

Lisez ce livre blanc et découvrez le rôle de la mesure thermique transitoire pour caractériser le comportement thermique des semi-conducteurs.

Une puce de traitement connectée à une carte de circuit imprimé