Caracterización térmica de semiconductores de energía de carburo de silicio (SiC)

Los semiconductores de energía de carburo de silicio (SiC) ofrecen ventajas para los módulos de electrónica, incluyendo un tamaño de paquete más pequeño, una mayor eficiencia con menores pérdidas de intercambio y un mejor rendimiento térmico (reducción los requisitos del sistema de refrigeración). Estos beneficios son muy útiles en la electrónica de vehículos eléctricos e híbridos, y para otras oportunidades de electrificación en el sector aeroespacial y energético, entre otros.

Este webinar se centra en la aplicación de la tecnología de ensayos de medidas de transitorios térmicos Simcenter T3STER para la caracterización térmica de dispositivos SiC. El objetivo es determinar métricas térmicas con exactitud y mejorar la precisión de la simulación térmica, las pruebas de fiabilidad y la evaluación de calidad.

Habrá una pequeña introducción a las configuraciones de medidas térmicas y a la interpretación de las funciones de estructura térmica que representan la trayectoria del flujo de calor desde la unión al ambiente en un paquete. También habrá un debate sobre las medidas térmicas directas de un MOSFET de SiC y sobre el método propuesto para utilizar un sensor virtual para los dispositivos de SiC más exigentes, que combinan las técnicas de medidas y simulación térmica. Además, se incluye una revisión de los métodos de ensayos de ciclos de carga de dispositivos con el objetivo de identificar los fallos que se dan debido a la degradación térmica para los estudios de fiabilidad y predicción de duración.

Temas:

• Tecnología de caracterización térmica: análisis de trayectoria del flujo de calor y funciones de estructura
• Ejemplos de estudio de pruebas térmicas en dispositivos de carburo de silicio
• Pruebas de fiabilidad térmica combinadas con ciclos de carga y diagnóstico de fallo no destructivo (Simcenter POWERTESTER)