Simcenter T3STER

Thermal characterization hardware

T3STER

Simcenter T3STER (ausgesprochen als „Tris-ter“) ist ein moderner, nicht destruktiver Tester für transiente Wärme zur thermischen Charakterisierung von gepackten Halbleitergeräten (Dioden, Bipolartransistoren [BJTs], Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren [MOSFETs], Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode [IGBTs], Strom-LEDs) und Multi-Die-Geräten, der Komponenten an Ort und Stelle testen kann. Unsere Lösung ist ein proprietäres System aus Software und Hardware und unterstützt die Märkte für Halbleiter, Transportwesen, Unterhaltungselektronik und LED-Anwendungen.

Das Messen des echten transienten thermischen Einschwingverhaltens ist wesentlich effizienter als stationäre Methoden. Messungen erfolgen bis auf ±0,01° C genau mit einer zeitlichen Auflösung bis zu 1 Mikrosekunde und erzielen so präzise thermische Kennzahlen. Strukturfunktionen verarbeiten die Rückmeldungen zu einem Plot, der den thermischen Widerstand und die thermische Kapazität von Paketfeatures entlang des Wärmeflusspfads anzeigt. Fehler in der Struktur, beispielsweise in Die-Befestigungen, lassen sich leicht ermitteln – damit bietet diese Lösung ein ideales Werkzeug zur Erkennung von Vor- und Nachspannungsfehlern in der Zuverlässigkeitsanalyse. Messungen können zur Kalibrierung von Wärmemodellen exportiert werden und belegen die Genauigkeit der thermischen Konstruktion.

Weiterlesen:

Sechs wichtige Vorteile transienter Wärmetests bei Halbleitern

Whitepaper: Einführung in Strukturfunktionen für die thermische Charakterisierung von elektronischen Bauteilen

Was ist eine Strukturfunktion? – T3STER – Halbleitercharakterisierung

Simcenter T3STER

Simcenter T3STER (ausgesprochen als „Tris-ter“) ist ein moderner, nicht destruktiver Tester für transiente Wärme zur thermischen Charakterisierung von gepackten Halbleitergeräten (Dioden, Bipolartransistoren [BJTs], Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren [MOSFETs], Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode [IGBTs], Strom-LEDs) und Multi-Die-Geräten, der Komponenten an Ort und Stelle testen kann. Unsere Lösung ist ein proprietäres System aus Software und Hardware und unterstützt die Märkte für Halbleiter, Transportwesen, Unterhaltungselektronik und LED-Anwendungen.

Das Messen des echten transienten thermischen Einschwingverhaltens ist wesentlich effizienter als stationäre Methoden. Messungen erfolgen bis auf ±0,01° C genau mit einer zeitlichen Auflösung bis zu 1 Mikrosekunde und erzielen so präzise thermische Kennzahlen. Strukturfunktionen verarbeiten die Rückmeldungen zu einem Plot, der den thermischen Widerstand und die thermische Kapazität von Paketfeatures entlang des Wärmeflusspfads anzeigt. Fehler in der Struktur, beispielsweise in Die-Befestigungen, lassen sich leicht ermitteln – damit bietet diese Lösung ein ideales Werkzeug zur Erkennung von Vor- und Nachspannungsfehlern in der Zuverlässigkeitsanalyse. Messungen können zur Kalibrierung von Wärmemodellen exportiert werden und belegen die Genauigkeit der thermischen Konstruktion.

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Kundenerfolg

Flotrend Corporation

Using enhanced simulation tools to speed up research and development and time-to-market

Flotrend leverages Simcenter FLOEFD to increase thermal report accuracy by 21 percent

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IC package thermal characterization - Simcenter T3STER thermal transient testing:  thermal resistance vs. thermal capacitance

Leveraging semiconductor and ic package thermal transient test technology

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