Tepelné charakteristiky polovodičů z karbidu křemíku (SiC)

Polovodiče z karbidu křemíku (SiC) nabízí v oblasti silových elektronických modulů různé výhody, například menší velikost, vyšší efektivitu, nižší ztráty při přepínání a lepší tepelný výkon (což snižuje požadavky na chlazení). Tyto výhody se hodí v oblasti silové elektroniky elektrických a hybridních vozidel. Mezi další oblasti užití patří letectví, energetika a další.

Tento webinář popisuje měření teplotních přechodů pomocí produktu Simcenter T3STER a určení teplotních charakteristik zařízení s polovodiči z SiC. Vysvětluje také použití tepelných simulací, testování spolehlivosti a hodnocení kvality.

Dále budou popsány konfigurace teplotního měření a interpretace funkcí teplotní struktury znázorňujících přenos tepla od spojů v rámci obalu. Bude probráno teplotní měření prvku SiC MOSFET a navržena metoda, jak u složitějších zařízení s polovodiči z SiC využívat virtuální senzory, které propojují měření a techniky tepelné simulace. Navíc si projdeme cyklické testování zařízení s ohledem na selhání způsobená tepelným poškozením během provozu a predikce těchto selhání i celkové životnosti.

Témata:

• Technologie pro tepelné charakteristiky: analýza přenosových drah tepla a vliv konstrukce
• Příklady studií tepelného testování zařízení na bázi karbidu křemíku
• Testování tepelné spolehlivosti pomocí cyklického testování a nedestruktivní diagnostiky (Simcenter POWERTESTER)