Simcenter T3STER je pokročilý nedestruktivní nástroj pro testování přechodného tepla, který umožňuje zjistit tepelné vlastnosti polovodičových zařízení ve svazcích (diod, bipolárních tranzistorů, výkonových tranzistorů typu MOSFET, tranzistorů IGBT nebo výkonných LED) a zařízení s více čipy. Měří skutečnou odezvu tepelného přechodového jevu efektivněji než metody ustáleného stavu. Měření probíhají s přesností ±0,01 °C s rozlišením až 1 mikrosekunda. Díky pokročilým funkcím softwaru je možné z odezvy v rámci postprocesingu vytvořit graf, na kterém bude uveden tepelný odpor a kapacita funkčních součástí spolu s cestou tepelného toku. Simcenter Micred T3STER je ideální nástroj pro detekci poruch před a po zatěžování. Vytvořená měření lze exportovat za účelem kalibrace teplotního modelu a dosažení vyšší přesnosti tepelného návrhu.
Umožněte rychlejší výsledky pomocí jediného testu
Nástroj Simcenter Micred T3STER se snadno používá a je rychlý. Poskytuje plně reprodukovatelné výsledky, takže každý test musí být proveden pouze jednou. Nástroj Simcenter Micred T3STER testuje integrované obvody pouze s použitím elektrických připojení pro napájení a snímání, což poskytuje rychlé, opakovatelné výsledky a eliminuje potřebu provádění více testů na stejném dílu. Komponenty mohou být testovány na místě a výsledky testů mohou být použity jako kompaktní tepelný model nebo ke kalibraci podrobného modelu.
Otestujte všechny typy sestav polovodičů
Mohou být testovány prakticky všechny typy sestav polovodičů, od výkonových diod a tranzistorů až po velké a vysoce složité digitální integrované obvody, včetně dílů, které jsou namontovány na desce a dokonce integrovány do výrobku.
Jednoduše řečeno, do komponenty je odeslán výkonový impuls a jeho teplotní odezva je velmi přesně zaznamenána v čase. Samotný polovodič se používá jak k napájení součásti, tak ke snímání teplotní odezvy pomocí parametru citlivého na teplotu na povrchu matrice, jako je struktura tranzistoru nebo diody.
Získejte přístup ke spolehlivému softwaru
Software dodávaný s nástrojem Simcenter Micred T3STER poskytuje velkou hodnotu. Je to proto, že software Simcenter Micred T3STER může použít záznam teploty v závislosti na čase a převést jej na to, co je známé jako funkce struktury. V tomto grafu lze detekovat diskrétní vlastnosti sestavy, jako je například uchycení matrice, díky čemuž je nástroj Simcenter Micred T3STER vynikajícím diagnostickým nástrojem při vývoji produktu. Vykreslenou křivku lze také použít ke kalibraci podrobného 3D tepelného modelu v nástroji Simcenter Flotherm, čímž se vytvoří tepelný model sestavy čipu, který předpovídá teplotu v prostoru i čase s přesností vyšší než 99 %.
Vyšší přesnost simulací chlazení elektroniky díky měření a kalibraci
Tento technický dokument popisuje faktory, které mohou během simulace zvýšit přesnost modelování tepelných ztrát při přenosu elektrické energie. Popisuje využití tepelného měření modulu IGBT pomocí softwaru Simcenter T3STER a kalibraci modelu spolu s tepelnou simulací v softwaru Simcenter Flotherm.
